TTO - Tin từ Intel cho biết, hôm nay (26-7), Micron
Technology, Inc., và Intel đã công bố cung cấp thử nghiệm những bộ nhớ
flash NAND đầu tiên của ngành công nghiệp được phát triển trên công
nghệ xử lý 50 nanometer (nm) tiên tiến nhất.
Sản phẩm thử nghiệm là các thiết bị bộ nhớ 4 gigabit
(Gb) được sản xuất tại IM Flash Technologies, một liên doanh sản xuất
và phát triển của Micron và Intel và dự định sẽ sản xuất đại trà các
sản phẩm có mật độ khác nhau trên chu trình 50nm này vào năm 2007.
Bước chuyển đổi sang công nghệ xử lý 50 nm này sẽ cho
phép Intel và Micron đáp ứng được nhu cầu ngày càng tăng về sản phẩm bộ
nhớ flash NAND mật độ cao hơn trong một loạt các ứng dụng điện toán và
điện tử tiêu dùng như máy nghe nhạc số, thiết bị lưu trữ có khả năng
tháo rời và những thiết bị liên lạc cầm tay.
Theo các dự báo trong những nghiên cứu của ngành công
nghiệp, thị trường bộ nhớ NAND dự tính sẽ đạt 13 đến 16 tỷ đôla Mỹ
trong năm 2006 này và sẽ tăng lên xấp xỉ 25 đến 30 tỷ đôla Mỹ tới năm
2010.
Micron và Intel thành lập IM Flash Technologies (IMFT)
vào tháng 1 nhằm sản xuất bộ nhớ flash NAND cho cả hai công ty. IMFT đã
và đang nhanh chóng mở rộng các cơ sở sản xuất của mình sau khi thành
lập. Micron hiện đang cung cấp các sản phẩm flash NAND từ các cơ sở sản
xuất của mình tại Boise, và cuối năm nay sẽ được đưa vào sản xuất cơ sở
300 mm của Micron tại Manassas, bang Virginia nhằm cung cấp sản phẩm
NAND cho IMFT.
Trong khi đó, cơ sở tại Lehi, Utah được dành riêng cho
IMFT và hoạt động như là trụ sở chính của công ty này, dự kiến sẽ được
đưa vào sản xuất sản phẩm NAND đầu năm sau.
H.N.
(Theo TTO)