 |
| Ảnh: Istockphoto. |
Ba trường đại học Bath, Bristol và Leeds (Anh) đã tìm
ra phương pháp kiểm soát mô hình từ trường một cách chính xác trên
những tấm phim mỏng dính. Nhờ đó, họ có thể áp dụng để nâng cao dung
lượng bộ nhớ, một bước đột phá mới trong công nghệ lưu trữ từ tính.
Điểm mấu chốt trong kỹ thuật mới này là họ sử dụng
các dòng ion của nguyên tố Galium mang năng lượng cao để điều khiển
hướng của từ trường ở các vùng trên phim tấm phim Cobalt có độ dày của
vài nguyên tử. Hướng từ trường này sẽ được dùng để lưu thông tin: "lên"
biểu thị trạng thái bật (số 1) và "xuống" biểu thị trạng thái đóng (số
0). Các nhà vật lý còn mô tả rằng hướng của các vùng từ trường có thể
"đọc" được bằng cách đo điện trở của chúng. Phương pháp này sẽ thực
hiện công việc nhanh hơn so với kỹ thuật đọc thông tin trên ổ cứng hiện
tại vì trạng thái "lên, xuống" chỉ cần đến xung điện rất ngắn.
Ngoài ra, với công nghệ mới, máy tính sẽ không bao
giờ mất thông tin lưu trong bộ nhớ đệm ngay cả khi mất điện vì khi có
điện lại, các dữ liệu sẽ "tái xuất". "Kết quả này rất quan trọng vì
chúng ta có thể sản xuất được chip nhớ từ tính không bao giờ rơi vào
tình trạng mất thông tin khi điện bị cắt đột ngột", Simon Bending, Giáo
sư đại học Bath, cho biết. "Đây là lần đầu tiên dữ liệu được đọc và ghi
một cách nhanh chóng chỉ bằng công nghệ dòng điện".
T.H. (theo VNUNet)
(Theo VNExpress)