 |
| Ảnh: DigiTimes. |
Hãng
sản xuất Hàn Quốc Hynix Semiconductor tuyên bố đã phát triển thành công
một chip DRAM 512 Mb, 200 MHz và có thể xử lý 1,6 GB dữ liệu mỗi giây,
tức nhanh hơn khoảng 1,5 lần so với những sản phẩm hiện tại của họ.
Với kích thước 8 x 10 mm, phiên bản DRAM mới cũng hứa hẹn sẽ tăng sức cạnh tranh cho Hynix trên thị trưởng ứng dụng di động.
“Sản phẩm sẽ đáp ứng được nhu cầu về bộ nhớ và tốc độ
trong điện thoại thế hệ ba, hỗ trợ các dịch vụ mới như truyền hình kỹ
thuật số, tải video…”, đại diện của Hynix khẳng định.
Hãng này sẽ kết hợp DRAM 512 Mb và NAND Flash trong
một gói sản phẩm đa chip (MCP) nhằm giúp các công ty sản xuất tạo ra
những chiếc điện thoại thanh mảnh hơn.
T.N. (theo Forbes)
(Theo VNExpress)